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股票配资门户材料的光学性質

ZnO納米材料的發光本質

有關ZnO材料光学性質研究的曆史可以追溯到20世紀50年代,但直到1997年日本和中國香港的科学家在室溫下才實現了光泵浦Zn0薄膜紫外激光,從而使这種材料光学性質的研究重新引起人們的注意并迅速成为半導體激光器件研究的國際新熱點。目前的研究正朝着開發紫外、藍光和綠光等多種波段發光器件發。研究表明Zno發光可歸結为兩類:近帶邊紫外發光(NBE)和深能級(DI。)發射口引。紫外(UV)發射的機制已被公認为是從近導帶到价帶的激子躍遷。其中紫外發光峰为ZnO的激子發光;可見發射中心仍然存在很大的争議.人們認为可見發射来自不同的缺陷和雜質,其中缺陷發光包括點缺陷發光(如氧空位、zn空位、氧填隙、Zn填隙及氧反位等)和結構缺陷發光(如晶格失配、晶界及晶粒取向等)。光一般被認为是表面缺陷引起的躍遷發光。而藍光被認为是體相缺陷引起的躍遷發光。


ZnO納米材料在發光器件中的應用研究

發光二極管因具有高效節能的特點,可能成为取代傳統白熾燈和熒光燈的新一代照明光源。而Zn0是繼GaN之後最有可能實現商业化的光電材料。如何将一維ZnO納米材料更好地應用到發光二極管領域,已经成为近期研究的熱點。目前已经實現了在室溫下ZnO納米線、納米帶等的紫外發光。美國西北大学材料研究中心已经制備了在室溫下近紫外光泵浦光子晶體激光器。中同科学院長春光学精密機械與物理研究所激發态重點實验室的研究組在藍寶石襯底上制備出Zn()發光二極管。徐偉中L”一采用M()OVD方法成功制備了Zn()同質LED,具有典型的二極管整流I—V特性,開啟電壓約为2.3V。最近。郭洪輝應用電化学法。通過提高Zn()納米棒發光二極管的發光效率,調節一維納米ZnO材料的電致發光譜段.制備r Zn()納米棒膜、ZnO納米棒與聚3一甲基唾吩複合膜及Zn()納米棒與CuS(2N複合膜、納米管膜,構建了ZnO納米棒發光二極管、ZnO納米管發光二極管、納米棒發光二極管,研究了其電致發光性能及發射自光的特性。


ZnO材料場致發光的研究

在研究Zn()同質結器件的同時也實現了電致發光。據報道。日本的研究人員利用同質p-n結制成的半導體激光器實現了藍紫外電致發光。2008年加州大学Chu等‘抽。在Si襯底上利用ZnO和Mg()Zn()量子阱結構制備出Zn()基I。D,并且實現了室溫下低阈值電致激射。此器件的成功制備使人們看到了ZnO發光管和電泵浦激光器的廣闊發展前景。2“。为了全面研究ZnO納米棒異質結電致發光,改善其肩亮電壓高、亮度低、光譜不純等缺點=2“,阚鵬志。2钆利用聚合物材料MEH—PPV與ZnO納米棒陣列構成納米材料與有機物的複合體系,得出了比較理想的380nm的紫外電致發光及部分580hm的背景光,并通過研究器件的發光過程,分析了不同電壓下對紫外發光峰和背景光的影響原因。目前很多研究小組一直在研究Zn()在固态照明中的應用,ZnO發光還在利用光泵浦,ZnO的紫外電致發光的研究還具有挑戰性。